2SK3569

TOSHIBA場效應晶體管硅N溝道MOS型（π-MOSVI）

開關穩壓器應用

•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）

•高正向傳輸導納：| Yfs | = 8.5 S（典型值）

•低漏電流：IDSS = 100μA（最大）（VDS = 600 V）

•增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

注意：即使在工作條件（即工作溫度/電流/電壓）下，連續在重負載下使用（例如高溫/電流/電壓的應用和溫度的顯著變化等） 電壓等）在絕對最大額定值內。 請在閱讀“東芝半導體可靠性手冊”（“使用注意事項”/“降額概念和方法”）和個人可靠性數據（即可靠性測試報告和估計故障率等）時設計適當的可靠性。